中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出正常的OFF特性，具有良好的VTH均勻性和低的VTH滯后。此外，還展示了開啟電阻為0.75Ω，門寬20 mm功率器件。
研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造
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