近日，天成半導體官微宣布，繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。
天成半導體現已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設備可產出直徑達到350㎜的單晶材料。
12英寸導電型碳化硅單晶材料
12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料
山西天成半導體材料有限公司成立于2021年8月，由多位碳化硅領域博士及具有頭部生產企業任職經歷的業內一線人員發起，是一家專注于第三代半導體碳化硅單晶材料研發、生產及晶體生長裝備制造的高新、專精特新技術企業。公司堅持以自主研發為核心，構建起具備完整自主知識產權的技術體系。目前已擁有多項專利軟著，并獲得IATF16949車規質量管理體系認證，長晶設備獲得歐盟CE認證。
公司不斷迭代產品工藝，在大尺寸、低成本量產方面實現關鍵技術突破，率先研發出可量產的8-12英寸導電型和半絕緣型碳化硅單晶材料，產品質量達到國際領先水平。公司現已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長、生產耗材加工等完整的生產線。實現了從碳化硅長晶設備制造、粉料、籽晶、熱場設計到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。
未來，天成半導體將繼續聚焦大尺寸碳化硅單晶材料的產業化技術，以先進成熟的工藝能力為基石，致力于為客戶提供碳化硅材料生產中高品質、高可靠性的“裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案。公司也將秉承“創新·高效·堅韌·務實”的企業精神，向“助力中國半導體產業健康持續發展”的企業愿景不斷邁進。