?10月11日，在北京市市場監督管理局主辦的“在京全國標委會與北京市重點產業企業對接會成果發布暨第56屆世界標準日主題活動”上，在成果發布環節，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）動態反偏(DRB)試驗方法》團體標準，被評為2025年度高質量團體標準。
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該標準創新性突出，體現了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管動態反偏試驗方法在半導體集成電路領域的應用，提出了高頻高壓應用工況下，漏源電壓高dV/dt可靠性評價方法，彌補了標準空白領域，為產業提供了科學、合理的測試評估解決方案，有效支撐第三代半導體產業的發展，具有顯著的社會效益和經濟效益。 ?
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