2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。屆時，名古屋大學助理教授（YLC-designated）王嘉將受邀出席論壇，并帶來《通過鎂插層增強氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能》的主題報告，敬請關注！
嘉賓簡介
王嘉，自2023年起擔任名古屋大學高級研究所青年領袖培養項目助理教授。2021年，在名古屋大學天野浩博士的共同指導下，在加州大學洛杉磯分校獲得了材料科學博士學位。研究重點是摻雜物理學和開發工業上可行的摻雜方法，用于寬帶隙半導體器件的應用。作為第一作者和通訊作者在《應用物理快報》、《IEEE電子器件快報》和《自然》等期刊上發表文章，并且是多項美國和日本專利的發明人。目前的工作探索了III族氮化物半導體（如GaN和AlN）中的新摻雜機制。
報告摘要
寬帶隙氮化物半導體中的P型摻雜主要依賴于替代鎂（Mg）。然而，進展仍然受到低空穴遷移率、有限的空穴濃度和難以實現低電阻歐姆接觸的限制。與長期以來認為間隙鎂僅作為深度補償缺陷的觀點相反，我們發現，在足夠高的濃度下，間隙鎂自組裝成排列整齊的單原子厚層——這是所謂的插層現象的一個例子，即使在已知的插層材料系統中，如MAX相，也會以前所未有的形式發生。每個Mg單層在GaN中誘導極性反轉的周期性序列，這與實驗觀察到的插層后電離受體密度和空穴濃度的增加一致。與這些層相關的單軸應變改變了價帶結構，增強了空穴遷移率。我們將這些協同增益歸因于二維（2D）摻雜效應，該效應重新構建了III族氮化物半導體中的受主激活機制。值得注意的是，這種2D摻雜制度是通過在GaN上熱退火薄金屬Mg膜來實現的，提供了一種超越傳統替代Mg摻雜的可擴展、工業可行的途徑。正如將要介紹的那樣，這些發現對光電和功率器件具有廣泛的影響。
附：會議信息
第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）將于2025年11月11-14日在廈門召開。
國際第三代半導體論壇（IFWS）由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，是國內第三代半導體領域規模最大、人數最多、出席嘉賓規格最高的年度盛會，優秀論文被IEEE電子圖書館收錄。會議以加強第三代半導體電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體產業的發展為宗旨，內容全面覆蓋基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用等各環節，促進相關產業、技術、人才、資金、政策合力發展，是全球范圍內的全產業鏈合作交流的重要平臺與高層次綜合性論壇。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）由中關村半導體照明研發及產業聯盟主辦，是國內LED行業最早、最具規模的全球性專業論壇，優秀論文被IEEE電子圖書館收錄。論壇自2004年首屆伊始，至今已連續成功舉辦了二十一屆，內容涵蓋LED全產業鏈及細分應用領域，見證了我國LED產業的飛速發展，樹立了“中國半導體照明行業第一論壇”的良好聲譽和國際形象。
自2015年開始，IFWS與SSLCHINA兩大國際盛會強強聯合同期舉行，融合聚集了產、學、研、用、政、金等多維度資源，通過論壇搭建的平臺，實現信息互通和資源聚集，共同推動了我國半導體產業的發展，論壇已成為集技術交流、產業合作、成果轉化為一體的重要平臺。至今，論壇共邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容百余位，舉辦了400余場峰會，呈現了超過3700個專業報告，累計參會代表覆蓋全球90多個國家逾46,200人次。
本屆論壇以“鏈通全球·芯動未來”為主題，聚焦第三代半導體領域國際科技交流與互信合作。由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、廈門大學（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。 今年論壇全新升級，除了數十場前沿主題論壇，2025先進半導體技術應用創新展(CASTAS2025) 、short course、校友會、芯友薈、City walk等豐富多彩的系列活動。同時，還將發布"2025年度中國第三代半導體技術十大進展"結果，重要簽約&發布等，現場令人期待。
截至目前，大會已經收到210余篇學術論文投稿。論壇與IEEE長期合作，經過專家審稿錄取的論文，會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。今年大會宣布現場特別設置“POSTER學術交流專區”，誠摯歡迎行業內專家學者蒞臨大會現場，與POSTER作者現場交流研討！
論壇還將聚焦我國“十五五”產業發展新機遇，圍繞技術創新、應用拓展、生態構建等關鍵議題展開深入探討，推動“創新鏈、產業鏈、資金鏈、人才鏈”深度融合，加速第三代半導體全產業鏈協同創新與高質量發展。論壇組委會誠邀海內外第三代半導體產、學、研、用、資不同環節的業界同仁，11月相聚美麗溫暖的鷺島廈門，共探產業發展“芯”機會，共創產業發展新未來。
IFWS&SSLCHINA 2025日程總覽
CASTAS2024現場
【征文方向】
【征集流程】
1. 作者提交信息表和摘要或全文，按規定提交至指定平臺。投稿人可掃描下方二維碼投稿。
（掃描二維碼投稿）
投稿鏈接：https://app.zhundao.net/pingshen/index.html?id=238
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者需準備如下材料：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件（POSTER需要顯示給予的投稿論文編號。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并在POSTER展示區域自行張貼）
3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據論文模板準備論文全文。
注：1)官方網站（http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn）提供更多詳盡信息，請作者務必按照相應規定和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
【征文要求】
1.基本要求：
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發表過的論文;
2) 主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位;
3) 按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內容不超過4頁;
4) 論文全文需符合APA撰寫規范并符合模板排版格式
2.語言要求：
1) 作者須提交文體規范的英文論文；
2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業性宣傳內容的論文，不予安排在論壇演講。
【重要日期及提交方式】
1.論文摘要截止日期：2025年9月5日
2.論文摘要錄用通知：2025年9月15日
3.全文提交截止日期：2025年10月8日
4.論文全文錄用通知：2025年10月13日
5.口頭報告演示文件（PPT或PDF）提交截止日：2025年11月7日
6.POSTER電子版文件提交截止日：2025年11月7日
【注冊費用權益表】
備注：
＊第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）或中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠；
＊學生參會需提交相關證件；
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策；
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費；
＊IFWS相關會議：開幕大會，碳化硅電子技術I-Ⅲ，氮化鎵功率電子I-Ⅳ，超寬禁帶半導體I-Ⅲ，氮化鎵射頻電子器件，新能源應用大會-車用&電源，第三代半導體標準與檢測研討會，POSTER交流；
＊SSL相關會議：開幕大會，新型顯示大會I-Ⅲ，固態紫外技術，健康照明技術，生物農業技術，光醫療技術，新能源應用大會-車用&電源，POSTER交流；
＊會議用餐包含：12日自助午餐和晚餐、13日自助午餐和晚餐、14日自助午餐；
＊Short Course用餐包含：11日晚餐及12日自助午餐。
【在線注冊】
掃碼即刻注冊報名參會
【征文投稿聯系方式】
尹利瑛（YIN Liying）/ 李楠 (LI Nan)
電話:18811765341 / 18601994986
郵箱：papersubmission@china-led.net
【贊助/參展/商務合作】
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
王先生: 18610119011，wangyz@casmita.com
【報名咨詢】
蘆女士：13601372457,luli@casmita.com
【交通信息】
會場：廈門泰地萬豪酒店
地址：海滄區海滄大道 839 號, 廈門, 福建, 361022
【酒店預定】
關于預訂:
1.住宿預訂信息登記。請聯系：鄭秀華17750581776/13055828178(微信同號)，郵箱：1141192798@qq.com 登記信息模板詳見附件1（請以excel文件格式進行填寫發送）。
2.關于房型，大床或雙床確定預定后，會務組將盡量按要求滿足所預定的房型。但由于會議期間酒店住宿緊張，具體房型以當天酒店安排為準。
附件下載： 
IFWS&SSLCHINA2025訂房信息登記表.xlsx
交通位置：
第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇
www.ifws.org.cn www.sslchina.org