2025年11月11-14日,第十一屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十二屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)將于廈門召開。 屆時,北京大學助理教授王平將受邀出席論壇,并帶來《新興纖鋅礦氮化物鐵電半導體材料與器件》的主題報告,敬請關注!
嘉賓簡介
王平,北京大學物理學院助理教授,自2023年起任職于此。2017年在北京大學凝聚態物理專業獲得博士學位。2018年至2023年間,擔任密歇根大學安娜堡分校博士后研究員。其研究方向聚焦于氮化物基寬禁帶半導體及新型III-V族鐵電半導體的開發。
報告摘要
將鈧(Sc)融入傳統III族氮化物半導體中,可使其轉變為具有可切換極化特性的鐵電材料,并顯著提升電學、壓電及非線性光學性能。這些獨特特性與可調諧的超寬禁帶特性相結合,使ScAlN成為未來高功率、高頻及高溫電子器件、聲學諧振器與濾波器、微/納機電系統(MEMS)、神經形態計算及邊緣計算/智能領域最具前景的半導體材料之一。為了提高潛力,研究開發了獨特的外延工藝,通過使用等離子體輔助分子束外延技術實現高質量的單晶纖鋅礦相ScAlN。在外延生長的ScAlN/GaN異質結構中實現了原子光滑的表面、突變的界面和低雜質密度。此外,將展示完全外延的鐵電ScAlN/GaN異質結構,表現出大、穩定和均勻的殘余極化和矯頑場。詳細的微觀分析明確證實,施加的額外電場可以精確地調節ScAlN的生長晶格極性。極性Sc-III-N/III-N異質結構中強大的鐵電開關和極化/帶隙工程能力,以及硅和GaN技術的完全外延異質集成可能性,為下一代電子和光電子應用鋪平了道路。