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據(jù)介紹，三安光電第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目用地面積約1000畝，將包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
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公開資料顯示，三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。公司致力于化合物半導體集成電路業(yè)務的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。
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全資控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，是國內(nèi)化合物半導體代工龍頭，業(yè)務涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域，已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應商認證，各個板塊已全面開展合作。2019年三安集成實現(xiàn)營業(yè)收入2.41億元，同比增長40.67%；2020第一季度實現(xiàn)收入1.66億元。
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2017年底時，三安光電曾宣布大手筆投資333億元建設“泉州芯谷”南安園區(qū)三安高端半導體項目。主要包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目的光芒，用于擴大高端化合物半導體產(chǎn)能。
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根據(jù)當時的項目預計，三安光電稱全部項目5年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)，7年內(nèi)全部項目實現(xiàn)達產(chǎn)。業(yè)內(nèi)預計，333億元投資達產(chǎn)后年營收約270億元，是當前三安光電營收的3倍。泉州南安項目也被稱為“再造一個三安光電”。
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另外，三安光電還與華芯投資管理有限責任公司(大基金的唯一管理機構(gòu))、國家開發(fā)銀行、福建三安集團有限公司約定四方建立戰(zhàn)略合作關系，大力支持公司發(fā)展以Ⅲ-V族化合物半導體為重點的集成電路業(yè)務。不過，大基金擬在未來6個月內(nèi)減持不超過公司股份總數(shù)2%的股票。
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數(shù)據(jù)顯示，大基金一期持有三安光電股份(9.660, 0.25, 2.66%)4.61億股，約占公司總股本的11.30%。三安光電6月12日公告稱，大基金一期計劃公告日起15個交易日后的6個月內(nèi)，減持股份數(shù)量不超過公司股份總數(shù)2%，即8157萬股。以三安光電6月16日收盤價23.6元算，大基金一期套現(xiàn)總金額最高可達18.43億元。
